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BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測試
HAST半導(dǎo)體芯片立式偏壓老化測試系統(tǒng),HAST測試系統(tǒng)采用立式結(jié)構(gòu),便于操作和觀察。它利用高溫高濕的環(huán)境條件,對半導(dǎo)體芯片施加偏置電壓,以模擬芯片在長時間使用過程中的老化效應(yīng)。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于IC封裝、半導(dǎo)體、微電子芯片、磁性材料及其它電子零件的可靠性測試。
BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測試
HAST半導(dǎo)體芯片立式偏壓老化測試系統(tǒng)適用于各種封裝形式的射頻場效應(yīng)管、射頻功率器件等半導(dǎo)體芯片的可靠性測試。通過該測試,可以評估芯片在高溫高濕環(huán)境下的性能穩(wěn)定性、壽命以及潛在的失效模式,為芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供重要依據(jù)。
BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測試
B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)適用于IC封裝,半導(dǎo)體,微電子芯片,磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速壽命信賴性試驗(yàn),使用于在產(chǎn)品的設(shè)計階段,用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié)。測試其制品的密封性和老化性能。
B-HAST高加速壽命偏壓老化測試系統(tǒng)是將被測元件放置于一定的環(huán)境溫度中,(環(huán)境溫度依據(jù)被測元件規(guī)格設(shè)定)給被測元件施加一定的偏置電壓。同時控制系統(tǒng)實(shí)時檢測每個材料的漏電流,電壓,并根據(jù)預(yù)先設(shè)定,當(dāng)被測材料實(shí)時漏電流超出設(shè)定時,自動切斷被測材料的電壓,可以保護(hù)被測元件不被進(jìn)一步燒毀。