概述
應用
- 金屬(鋁)、鎢和電介質(氧化物)以及多晶硅等離子刻蝕(氯化物、氟化物和溴化物)
- 電子回旋共振 (ECR) 刻蝕
- 薄膜沉積 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
- 濺射
- 離子注入源,射束線泵送端點站
- MBE
- 擴散
- 光致抗蝕劑脫模
- 晶體/晶膜生長
- 晶片檢查
- 負載鎖真空腔
- 科學儀器:表面分析、質譜分析、電子顯微鏡
- 高能物理:射束線、加速器
- 放射線應用:融合系統、回旋
功能和優勢
- 更高的氣體吞吐量
- 大的制程靈活性
- 無油
- 低振動
- 高度
- 免維護
- 可用于嚴苛制程
- 使用壽命延長
- 自動調整
- 自行診斷功能
- 直流電機驅動
- 無電池運行
- 占地面積小
- 半機架控制器
數據
入口法蘭 | ISO200F |
KF40 | |
吹掃口 | KF10 |
水冷卻接頭 | PT1/4 |
抽速 | |
N2 | 1300 ls-1 |
H2 | 800 ls-1 |
壓縮比 | |
N2 | >108 |
H2 | 103 |
加熱時的極限壓力 | 10-7 Pa |
| (10-9 Torr) |
大連續壓力 | 270 Pa |
| (2 Torr) |
大氮氣吞吐量 | 1500 sccm |
額定速度 | 32500 rpm |
啟動時間 | 7 分鐘 |
高入口法蘭溫度 | 120 °C |
輸入電壓 | 200 至 240 (± 10) V 交流 |
功耗 | 0.85 kVA |
泵重量 | 39 kg |
控制器重量 | 9 kg |
水冷卻